台積電新研究，讓1nm芯片成為可能，妖精视频大全免费等離子體清洗機觀察
文章導讀：妖精视频大全免费等離子體清洗機行業觀察，台積電和交大強強聯手，研發出全球厚度僅有0.7納米的超薄二維半導體材料絕緣體，有望借此進一步研發出2納米乃至1納米的電晶體通道，論文這個月成功登上國際期刊自然期刊（nature）。
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國立交通大學電子物理係張文豪教授研究團隊在科技部長支持下，與台積電合作，合作研究研發出全球zui薄、厚度僅0.7納米、大麵積晶圓尺寸的二維半導體材料絕緣層，台積電表示，關鍵所在是單晶氮化硼技術的重大突破，今後有望通過這項技術，進一步研發出2納米乃至1納米的電晶體通道。
現階段台積電正在推動3納米的量產計劃，指的就是電晶體通道尺寸，通道做的越小，電晶體尺寸就能越小，而在持續微縮的過程中，電子就會變得越來越難傳輸，導致電晶體無法有效工作，現階段二維半導體材料是如今科學界認為zui有可能解決瓶頸的方案的一種。
二維半導體材料特性就是很薄，平麵結構僅有一兩個原子等級的厚度，但也因而傳輸中的電子容易受環境影響，因此要絕緣層來阻絕幹擾，現階段半導體使用的絕緣層多半是氧化物，通常做到5納米以下就非常困難，無法小於1納米，團隊研發出的單晶氮化硼生長技術，成功達成0.7納米厚度的絕緣層。
台積電技術主任陳則安，為清大化學係博士，他表示，單晶指的是單一的晶體整齊排列，單晶對於將來半導體結構比較有幫助，因為假設絕緣層不是單晶結構，中間會出現很多缺陷，電阻經過的時候可能被缺陷影響，導致效能變差，實驗也已證實會有影響，將來還要更多研究。
台積電處長李連忠曾經是中研院原分所研究員，他表示，台積電研究團隊經過基礎研究後，尋找問題和突破可能性，跟交大化學氣相沉積實驗室合作，讓氮化硼單晶在銅上生長，作為保護二維半導體材料的通道，現階段無法說明量產時間，也有很多關鍵技術要突破，比如金屬接觸和元件優化，可是確實對於將來電晶體尺寸再變小將有幫助。
將氮化硼轉移至矽晶圓上，藍色可見部分為支撐膜。
本文來源：自由時報
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